FDP8880
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDP8880 |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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573+ | $0.52 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 40A, 10V |
Verlustleistung (max) | 55W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1240 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Ta), 54A (Tc) |
FDP8880 Einzelheiten PDF [English] | FDP8880 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO220-3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
FAIRCHILD TO-220
FAIRCHILD TO-220
FAIRCHILD TO220
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
MOSFET N-CH 30V 40A TO220-3
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FLANGE MOUNTING
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDP8880Fairchild Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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